特許
J-GLOBAL ID：200903053938464024
半導体パワーモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172773
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021330
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 電気的雑音による誤動作を防止しつつ大電力を制御する。【構成】 装置の回路基板210は2つの領域B1、B2に分割されており、領域B1にはIGBT素子T1〜T6を有する主回路が展開され、領域B2には主回路を制御する制御回路が展開されている。すなわち、大電力を制御し、強力な電気的雑音の発生源である主回路と、電気的雑音による誤動作の危険がある制御回路とが同一回路基板の上に、互いに分離して展開されている。【効果】 主回路が発生する電気的雑音の制御回路への侵入が低減されるので、電気的雑音に起因する制御回路の誤動作が防止される。
請求項（抜粋）：
(a)電力を制御する電力制御半導体素子を有する主回路と、(c)前記主回路を展開する第1の回路基板と、(b)当該主回路を制御する制御回路と、(d)前記制御回路を展開し、前記第1の回路基板とは分離して配置される、第2の回路基板と、を備える半導体パワーモジュール。
IPC (2件)：
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