特許

J-GLOBAL ID：200903053938915026

半導体ウェハのC-V測定方法および可動イオン量測定方法

発明者： 平得 貞雄 ,  楠田 達文 ,  松原 英明
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 下出 隆史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303396
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130809
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハ表面が電気的に不安定な状態において真のC-V曲線に近いC-V曲線を求め、また、絶縁膜中の可動イオン量を定量的に評価する。【構成】 C-V測定においては、半導体ウェハに印加するバイアス電圧を正負交互のステップ状に変化させる。可動イオン量の測定では、BT処理前にC-V測定を行なって絶縁膜の第1の表面電荷量を測定し、BT処理後にエッチング処理をした後にC-V測定を行なって絶縁膜の第2の表面電荷量を測定する。そして、第1と第2の表面電荷量の差をとることによって、可動イオン量を求める。BT処理後のC-V測定では、半導体ウェハに印加するバイアス電圧を正負交互のステップ状に変化させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハのC-V測定方法であって、半導体ウェハに印加するバイアス電圧を、正負交互のステップ状に変化させることを特徴とする半導体ウェハのC-V測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01R 27/26