特許
J-GLOBAL ID：200903053940499439
ノイズシミュレーション装置およびノイズシミュレーション方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250037
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098104
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】半導体デバイスのもつ非線形の電圧依存性容量特性を反映した精度の高いノイズシミュレーションを可能とするノイズシミュレーション装置。【解決手段】半導体デバイスに関する電圧依存性容量特性グラフを電圧依存性容量特性グラフ取込部22によって読み取り、この読み取った電圧依存性容量特性グラフを表示部24によりユーザに呈示する。また、ユーザがこの呈示されたグラフ上の任意の点を指定したときに、この指定点をポイント指定取込部25によって取り込む。そして、電圧依存性容量値設定部23は、連続する2つの指定点で示される区間内のステップ容量値を算出して電圧依存性容量値記憶部26に格納する。そして、シミュレーション実行部27は、動作レベル等価回路記憶部29に格納された動作レベル等価回路に含まれる寄生容量を電圧依存性容量値記憶部26に格納されたステップ容量値に設定してシミュレーションを実行する。
請求項（抜粋）：
動作レベル記述形式で表現された半導体デバイスモデルを用いてプリント基板上に発生するノイズをシミュレーションするノイズシミュレーション装置であって、前記半導体デバイスモデルがシミュレートする半導体デバイスの電圧依存性容量特性を示す電圧依存性容量特性グラフを読み取る読み取り手段と、前記読み取り手段が読み取った電圧依存性容量特性グラフを表示する表示手段と、前記表示手段により表示された電圧依存性容量特性グラフ上の任意の点を少なくとも2つ以上指定する指定手段と、前記指定手段により指定された連続する2つの点で示される区間内のステップ容量値を算出する算出手段と、前記半導体デバイスモデルに含まれる寄生容量を前記算出手段により算出されたステップ容量値に設定する設定手段とを具備し、前記半導体デバイスのもつ非線形の電圧依存性容量特性を反映したノイズシミュレーションを可能とするノイズシミュレーション装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/82 C
, G06F 15/60 662 A
, G06F 15/60 666 S
