特許
J-GLOBAL ID：200903053942365154
化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070288
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体単結晶を融液より育成させた後、坩堝内の当該化合物半導体単結晶を該坩堝から取出すことを容易にする。【構成】 化合物半導体単結晶の育成が終了した後、種結晶を坩堝に対し相対的に上部に移動させ、当該単結晶を坩堝および残留液体封止剤から分離させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
坩堝内に収容した化合物半導体の種結晶及び原料融液を液体封止剤で覆う工程と、前記原料融液を前記液体封止剤で覆った状態で徐々に冷却して、前記種結晶を種として単結晶を形成する工程と、その後前記液体封止剤の温度が軟化点以上の状態で前記単結晶を前記液体封止剤より分離する工程とを具備することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 27/00
, C30B 11/00
, C30B 29/42
, H01L 21/208
