特許

J-GLOBAL ID：200903053945803926

半導体装置の製造方法

発明者： 渋谷 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199441
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】回路設計上の自由度の維持と、素子の微細化、高集積化に対する対応性を備えたうえで、基板に対して均質な変性作用を及ぼせるようにする。【解決手段】レーザ光を基板30の表面に照射してレーザ光照射部分を変成させる変性工程において、レーザ光として、主レーザ光LMと、主レーザ光LMの端部にあるエネルギー密度が連続的に減少する領域W2,W3のエネルギー密度を補正する補助レーザ光LS1,LS2とを合成した操作用レーザ光LDを用いることでエネルギー密度の均一化を図る。

請求項（抜粋）：

レーザ光を基板表面に照射してレーザ光照射部分を変性させる変性工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記変性工程において、前記レーザ光として、主レーザ光と、主レーザ光の端部にあるエネルギー密度が連続的に減少する領域のエネルギー密度を補正する補助レーザ光とを合成したものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/78 627 G