マイクロバンプの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246622
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059958
出願日： 2001年08月15日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】高粘度の金属ペーストによって、高さが30μm以下のマイクロバンプを高い形状精度で均一に、かつ低コストで形成する方法を提供すること。【解決手段】下地電極3を備えたウェーハWにレジスト膜6を形成し、下地電極3上となる部分を選択的に除去して微細開口7を設け、レジスト膜6上に金属ペーストPを供給し、スキージ8によって微細開口7へ押し込み塗布する。そして、金属ペーストPが塗布された状態でウェーハWを真空チャンバー11内に装填して真空脱泡し、続いてレジスト膜6上の余分な金属ペーストPを掻き取る。更に、ウェーハW上の金属ペーストPをプリベークし固化させて、レジスト膜6を除去する。その後、ウェーハW上に残る金属ペーストPをベークし超微粒子金属を一体化させてマイクロバンプM1 とし、これを溶融させて微小球体状のマイクロバンプM2 とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板面の電極上にマイクロバンプを形成する方法であって、前記半導体基板にレジスト膜を形成し、前記電極上となる部分を選択的に除去して微細開口を設ける工程と、前記レジスト膜上に超微粒子金属と有機溶剤からなる金属ペーストを供給し、スキージまたは同等の機具によって前記金属ペスートを塗布する工程と、前記レジスト膜に前記金属ペーストが塗布された状態で前記半導体基板を真空引きする工程と、前記金属ペーストをプリベークする工程と、前記レジスト膜を除去する工程と、前記半導体基板上に残る前記金属ペーストをベークする工程とを有することを特徴とするマイクロバンプの形成方法。

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