特許
J-GLOBAL ID：200903053961809357
半導体装置の製造方法およびダイシング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217211
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 裏面電極を備えた半導体ウエハをダイシングする。【解決手段】 ダイシング装置20は細かい第一ダイヤモンドブレード28と粗い第二ダイヤモンドブレード29とを備えており、第一ブレード28と第二ブレード29とは同一の垂直面内に配置されている。裏面電極10が形成されたウエハ14のダイシングに際して、第一ブレード28で脆弱なサブストレート2をチッピングを防止しつつ切削して第一切削溝31を形成し、第二ブレード29で延性の裏面電極10を目詰まりを防止しつつ切削して第二切削溝32を第一切削溝31に重ねて形成する。【効果】 ウエハを裏面電極を含めダイヤモンドブレードでチッピングや目詰まりを防止しつつ適正にフルカットできるため、製造コストを低減できる。また、裏面電極を選択めっきを使わず全面ベタの電気めっき法で形成することで製造コストをより一層低減できる。
請求項（抜粋）：
裏面電極が形成された半導体ウエハのダイシングに際して、前記半導体ウエハのサブストレート部と前記裏面電極部とが粗さの異なるダイヤモンドブレードがそれぞれ使用されて切断されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
B28D 5/02 A
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 F
3C069AA01
, 3C069BA04
, 3C069BB01
, 3C069BB02
, 3C069BB04
, 3C069BC01
, 3C069CA05
, 3C069CB02
, 3C069CB05
, 3C069EA01
, 3C069EA02
, 3C069EA05
