特許

J-GLOBAL ID：200903053962852809

半導体分析装置、電位分布の測定法、不純物濃度分布の測定法及びオージェ電子スペクトル解析法

発明者： 井手 隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040531
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241619
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体内部の微視的な電位分布を2次元あるいは3次元的に測定することができ、さらにその結果から不純物濃度分布を見積もることのできる半導体分析装置を提供する。【解決手段】 集光した電子線を用いた電子顕微鏡に電子エネルギー分光装置を備え、電子線照射場所による電子エネルギースペクトルのエネルギーシフト量を定量的に測定することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

集光した電子線を用いた電子顕微鏡に電子エネルギー分光装置を備え、電子線照射場所による電子エネルギースペクトルのエネルギーシフト量を定量的に測定することを特徴とした半導体分析装置。

IPC (4件)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/256 ,  H01J 37/305 ,  H01J 49/44

FI (4件)：

H01J 37/244 ,  H01J 37/256 ,  H01J 37/305 A ,  H01J 49/44

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特表昭59-501384
  
• 特開昭50-132988
  
• 特開昭64-086436
  
• 特開昭58-206978