特許

J-GLOBAL ID：200903053963120143

炭化ケイ素へのイオン注入方法および炭化ケイ素半導体装置

発明者： 戸田 忠夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-055223
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256173
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 低い注入温度で不純物元素を炭化ケイ素中に深さ方向に均一にかつ少ない結晶欠陥で注入することができるイオン注入方法を提供することである。【解決手段】 SiC基板11の(0001)Si面上にSiO2 からなるマスク12を形成し、不純物元素として窒素をイオン注入する。(0001)Si面に垂直な方向のイオン注入(チャネリング注入)および(0001)Si面に垂直な方向から7°傾斜した方向のイオン注入(ランダム注入)を行う。窒素イオンの加速エネルギーを同一にし、基板温度を700°Cとする。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素の構成元素の所定の整列方向と平行な方向に沿って前記炭化ケイ素に不純物元素をイオン注入するとともに、前記整列方向から所定の角度傾斜した方向に沿って前記炭化ケイ素に前記不純物元素をイオン注入することを特徴とする炭化ケイ素へのイオン注入方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/80 B