特許
J-GLOBAL ID：200903053966462614
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225299
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086572
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【構成】半絶縁姓InP基板上にバッファ層とチャネル層が形成された電界効果トランジスタにおいて、バッファ層が、高濃度FeドープInP層102、低濃度FeドープInP層103、ノンドープInP層104を順次成長することによって形成されている。【効果】バッファ層を高抵抗化すると同時に、バッファ層中のFeのチャネル層への拡散を防止することができ、電界効果トランジスタの特性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され前記基板表面の不純物ドナー濃度よりも高い濃度のFeが添加された第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層上に形成され前記第1のバッファ層のFe濃度よりも低くかつ膜中に含まれる残留不純物ドナー濃度よりも高い濃度でFeが添加された第2のバッファ層と、前記第2のバッファ層上に形成されFeが添加されていない第3のバッファ層と、前記第3のバッファ層上に形成されたチャネル層とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
