特許
J-GLOBAL ID：200903053966486408
フリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-190088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056474
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：
【要約】【目的】 カウンタ電極または画素電極形成の際、ゲートバスラインの損傷を防止できるフリンジフィールド駆動液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【構成】 下部基板;前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン;前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン;前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜;前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ;前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極;前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極;及び前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成する。
請求項（抜粋）：
下部基板;前記下部基板上に所定方向に延長された多数のゲートバスライン;前記ゲートバスラインと交差するように下部基板上に配置されて単位画素を限定する多数のデータバスライン;前記ゲートバスライン及びデータバスライン間を絶縁させるゲート絶縁膜;前記ゲートバスラインとデータバスラインの交差部に各々配置された薄膜トランジスタ;前記ゲート絶縁膜上に形成され、薄膜トランジスタとコンタクトされ、前記単位画素空間に各々配置される画素電極;前記画素電極上にオーバーラップされ、前記画素電極と共にカウンタ電極及び画素電極上に液晶分子を全て動作させるフリンジフィールドを形成するカウンタ電極;及び、前記画素電極及びカウンタ電極間に介在される保護膜を含み、前記画素電極及びカウンタ電極は透明導電体で形成され、前記ゲートバスラインはアルミニウムを含む金属膜で形成されることを特徴とするフリンジフィールド駆動液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/1343
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/1343
, H01L 21/88 N
, H01L 21/88 R
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 617 L
, H01L 29/78 617 M
