特許
J-GLOBAL ID：200903053967363628
不揮発性半導体メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182476
出願日： 1982年12月28日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】1つのメモリセルに複数ビットのデータを記憶した不揮発性半導体メモリの歩留向上、回路の簡単化。【構成】不揮発性半導体メモリセルと、このメモリセルにデータを書き込む手段と、前記メモリセルに記憶されているデータを読み出す手段と、前記メモリセルのしきい値電圧を、前記読み出されたデータにより生じる、前記メモリセルと負荷素子との接続点の電圧から検知し、またデータ書き込みとデータ読み出しに兼用するセンスアンプと、このセンスアンプの論理出力をもとに、前記メモリセルに設定すべきしきい値電圧が得られるまで、前記データの書き込みと前記データの読み出しを繰り返す論理制御回路とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
不揮発性半導体メモリセルと、このメモリセルにデータを書き込む手段と、前記メモリセルに記憶されているデータを読み出す手段と、前記メモリセルのしきい値電圧を、前記読み出されたデータにより生じる、前記メモリセルと負荷素子との接続点の電圧から検知し、またデータ書き込みとデータ読み出しに兼用するセンスアンプと、このセンスアンプの論理出力をもとに、前記メモリセルに設定すべきしきい値電圧が得られるまで、前記データの書き込みと前記データの読み出しを繰り返す論理制御回路とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/10 481
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 A
, H01L 29/78 371
