特許
J-GLOBAL ID：200903053969821933

発光ダイオードチップの直列構造

発明者：
林明徳

林明徳 について


出願人/特許権者：
光鼎電子股▲ふん▼有限公司

光鼎電子股▲ふん▼有限公司 について


代理人 (1件)： 入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168148
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014899
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】発光ダイオードの単一チップ当りの高い動作電圧の使用を可能として、単一チップの発光輝度を向上する。【解決手段】同一基板上に複数の発光ダイオードをユニットとして二次元アレイ状に配列し、各ユニットチップを直列に接続することにより、該基板上に形成した発光ダイオード両端の電圧を高くして高い動作電圧の使用を可能とし、且つ発光輝度を向上する。発光ダイオードの直列接続されたユニット数を大きくすることにより、商用電源の使用を可能とし、電源設備を簡略化することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
発光ダイオードチップが、基板上に形成されたP型半導層とN型半導層とからなり、 前記基板上に二次元アレイの方式により複数の発光ダイオードが配置されて、前記複数の発光ダイオードのP型半導層とN型半導層が、導電体により電気的に接続されて、前記した複数の発光ダイオードのP、N型半導層を直列方式により導通状態にするとともに、該導電体と電気的に接続していない端末のP、N型半導層をそれぞれ導電部と電気的に接続して外部電源に接続し、このようにして、前記発光ダイオードの単一チップの高輝度化と共に、高電圧、低電流による作動を可能として電源設備の負荷を低減した、発光ダイオードチップの直列構造。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (2件)：
H01L33/00 A ,  H01L33/00 N
Fターム (7件)：
5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041CA12 ,  5F041CB11 ,  5F041CB25 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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