半導体装置およびそれを用いた回路装置、比較回路、発信回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359768
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353751
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 1つの素子領域にバイポーラトランジスタと絶縁ゲート型トランジスタを形成して、両トランジスタを接続する電気配線を不要とする。【解決手段】他の素子領域と絶縁分離された1つの素子領域において、N- 層3に、P+ ベース領域9、N+ エミッタ領域11、N+ コレクタ領域12と、P+ ベース領域9の過剰キャリアを除去するP+ 過剰キャリア除去用領域10が形成されて、バイポーラトランジスタを形成されている。また、P+ ベース領域9、P+ 過剰キャリア除去用領域10の間のN- 層3の表面にゲート酸化膜13が形成され、その上にポリシリコン層14が形成されて、P+ ベース領域9をソース領域としP+ 過剰キャリア除去用領域10をドレイン領域とする絶縁ゲート型トランジスタが形成されている。

請求項（抜粋）：

他の素子領域と絶縁分離された1つの素子領域において、第1導電型のシリコン層(3)にバイポーラトランジスタ(31)を構成する第2導電型のベース領域(9)と第1導電型のエミッタ領域(11)と第1導電型のコレクタ領域(12)が形成され、前記ベース領域(9)を一方のソース・ドレイン領域として絶縁ゲート型トランジスタ(32)が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 21/8249 , H01L 21/8236 , H01L 27/088 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/06 101 U , H01L 27/06 321 E , H01L 27/08 311 B , H01L 29/72 , H01L 29/78 627 D

Fターム (31件)：

5F003AP00 , 5F003AZ03 , 5F003BA96 , 5F003BJ15 , 5F003BJ90 , 5F003BJ99 , 5F048AA01 , 5F048AB08 , 5F048AB10 , 5F048AC07 , 5F048BA09 , 5F048BD00 , 5F048BG01 , 5F048BG05 , 5F048CA04 , 5F048CC08 , 5F082AA08 , 5F082AA40 , 5F082BA06 , 5F082BA21 , 5F082BC09 , 5F082FA16 , 5F082FA17 , 5F082FA18 , 5F110AA04 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110FF02

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-002157
特開平4-210728
特開平1-137822

審査官引用 (10件)

特開平2-002157
特開平2-002157
特開平4-210728

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