特許

J-GLOBAL ID：200903053979734702

配線形成方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041949
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：

【要約】【目的】 段差被覆性に優れるECRプラズマCVD法によりTi(002)膜を成長させ、この配向性を引き継いでAl系配線の寿命を延長する。【構成】 (1)基板バイアス印加、(2)ガス圧0.1Pa未満、(3)成膜温度Tを自己表面拡散温度Tsd以上、再結晶温度Tr 未満に設定、の条件の少なくともひとつを満足する条件でTi膜を成膜する。これらは、Si基板1上に既に形成されているTi核2の間にTi粒子3を到達させ易くする条件であり、最稠密面を持つCVD-Ti(002)膜4が得られる。【効果】 CVD-Ti(002)膜4上には格子定数の近いCVD-TiN(111)膜を成膜でき、さらにその上には高温スパッタリング法によりエレクトロマイグレーション耐性に優れるAl(111)膜が成膜できる。Al配線寿命を延長できる。

請求項（抜粋）：

ECRプラズマCVD法によりIVa族元素のハロゲン化物ガスを放電解離および還元しながらIVa族元素の薄膜を基板上に成膜する配線形成方法において、上記成膜時に、プラズマ中に生成する化学種中、前記基板への垂直入射成分の占める割合を相対的に高め得る制御を行うことを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 A ,  H01L 21/90 C