特許

J-GLOBAL ID：200903053980465936

GaAs基板のアニール方法およびGaAs半導体装置の製造方法

発明者： 田村 彰良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044407
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243279
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 高い活性化率と急峻なキャリア分布を提供するイオン注入GaAs基板のアニール方法を提供する。【構成】 イオン注入GaAs表面にSiO2膜を形成した後、CF4ガス雰囲気中で高温、短時間アニールする。【効果】 CF4ガス雰囲気中で高温、短時間アニールすることにより、SiO2膜表面からフッ素(F)原子が拡散し、この作用によりSiO2/GaAs界面において、GaAs表面からSiO2膜中へのGa原子の拡散が抑制され、高い活性化率と急峻なキャリア分布を実現できるものである。

請求項（抜粋）：

GaAs基板の少なくとも一主面上の所定の領域にシリコン酸化膜(SiO2膜)を形成した後、フッ素(F)原子を含むガス雰囲気中で高温、短時間熱処理することを特徴とするGaAs半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/265 C ,  H01L 21/265 J