エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：越場隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-180968
公開番号（公開出願番号）：特開2006-298760
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】GaAs(111)A面基板上に形成されたGaN層を有するエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】Gaを含む有機金属およびHClを含む第1の原料ガスと、NH3を含む第2の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、或いは、HClを含む第1の原料ガスと、NH3を含む第2の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、前記反応管内部に配置された容器内に収納された金属Gaと第1の原料ガスに含まれたHClとを反応させてGaClを生成させて、反応管内に設置されたGaAs(111)A面基板上に400°C以上600°C以下の温度で厚み60nm以上のバッファ層を気相成長させる。次いで、バッファ層を形成した前記基板の温度を、NH3ガスを前記基板に供給しながら、上昇させてバッファ層の結晶性を向上させる。更に、第1および第2の原料ガスを、850°C以上1030°C以下に加熱された反応管内に供給し、バッファ層上にGaN層を成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Gaを含む有機金属およびHClを含む第1の原料ガスと、NH3を含む第2の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、或いは、HClを含む第1の原料ガスと、NH3を含む第2の原料ガスを外部から加熱された反応管内に供給し、前記反応管内部に配置された容器内に収納された金属Gaと第1の原料ガスに含まれたHClとを反応させてGaClを生成させ、前記反応管内に設置されたGaAs(111)A面基板上に400°C以上600°C以下の温度で厚み60nm以上のバッファ層を気相成長させる工程と、前記バッファ層を形成した前記基板の温度を、NH3ガスを前記基板に供給しながら、上昇させてバッファ層の結晶性を向上させる工程と、前記第1および第2の原料ガスを、850°C以上1030°C以下に加熱された反応管内に供給し、前記バッファ層上にGaN層を成長させる工程とを備えることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , C30B 25/02 , C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/38 D , C30B25/02 Z , C23C16/34

Fターム (26件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077DB21 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EH01 , 4G077EH09 , 4G077FE19 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB03 , 4G077TB05 , 4G077TE03 , 4G077TJ03 , 4G077TK06 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030JA10 , 4K030JA12

引用文献：

審査官引用 (1件)

Temperature-mediated phase selection during growth of GaN on (111)A and (111)B GaAs substrates

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