特許
J-GLOBAL ID：200903053982748510
シリコン等多結晶質物体の鋳造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
齋藤 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-213790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-064913
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：
【要約】【目的】 多結晶質原材の融液が鋳型内で凝固する際、その結晶成長方向を一定化することで鋳造品の品質を向上し、高温加熱をも不要とし鋳型の耐久性を増す。【構成】 不活性雰囲気10a内でヒータ13にて坩堝12内の多結晶質原材11を融解して得た融液11aは、矢印T方向へ高温となる温度勾配下の鋳型14へ注入する。この注入は一気でなく、鋳型14内融液11aの結晶が成長して行く速度V1と同期させて、坩堝12から注入する融液11aの供給量を、ヒータ13の加熱設定温度調整等の手段により制御することで徐々に注がれる。【効果】 鋳型には多量の融液が収容されることがないので、鋳型の側壁から横方向へ結晶が成長することがなく、上向きの結晶成長で一定化され、この一定化は鋳型を高温加熱にしなくとも確保されることで鋳型の耐久性をも向上する。
請求項（抜粋）：
不活性雰囲気内にあって、ヒータにより所望温度に加熱可能な流出口付きの坩堝に、シリコン等の結晶質原材を収納し、その下位に配設された鋳型には、所定の結晶成長の方向を決めるため、その下部側から上部側へ向けて高温となるよう温度勾配を付与しておき、上記の坩堝内における結晶質原材を、前記ヒータにより加熱融解して、その融液を坩堝の流出口から、上記の鋳型内へ流下供給するに際して、鋳型内に流下された当該融液が、前記の温度勾配により下から上へ向けて、その結晶が成長して行く速度に、当該流出口から流下供給される同上融液の注入速度を同期させるようにしたことを特徴とするシリコン等多結晶質物体の鋳造方法。
IPC (3件)：
C01B 33/02
, H01L 21/208
, H01L 31/04
