特許
J-GLOBAL ID：200903053988661017
絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012850
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 EQR電極に確実なチャネルストッパ機能を持たせる。【解決手段】 ソース電極71とベース領域64とのコンタクトをソース領域65を貫通した溝67aから取るとき、外周部Cのチャネルストッパ領域95表面からチャネルストッパ領域95を貫通する溝67cをメッシュ状に形成し、この溝67c内面及びチャネルストッパ領域95表面の溝周り97でチャネルストッパ領域95と接続するEQR電極96を形成する。このMOSFETがウェーハからチップとしてスクライブ領域Dでカットされたとき、カット面Eは加工歪みにより裏面と表面で同電位となり、カット面Eの表面側にはチャネルストッパ領域95が露出しEQR電極96は確実にドレイン電極72と同電位となり、EQR電極96はチャネルストッパとして十分に機能する。
請求項（抜粋）：
低不純物濃度の一導電型ドレイン領域を有する半導体本体が平面的にセル部と外周部との区分及び外周部にスクライブ領域を有し、セル部でドレイン領域表面層に形成した他導電型の第1ベース領域及び第1ベース領域表面層に形成した高不純物濃度の一導電型ソース領域を含み、外周部でドレイン領域表面層に第1ベース領域と同時形成した第2ベース領域及び第2ベース領域表面層にソース領域と同時形成したチャネルストッパ領域を含み、ソース領域表面からソース領域を貫通する溝内面及びソース領域表面の一部に電気的接触するソース電極を形成し、チャネルストッパ領域に電気的接触するEQR電極を形成した絶縁ゲート型半導体装置において、前記チャネルストッパ領域は前記スクライブ領域にも含まれ、メッシュ状パターンの溝が形成され、前記EQR電極が前記溝内面及びチャネルストッパ領域表面の溝周りで前記チャネルストッパ領域と電気的接続されたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 F
