特許

J-GLOBAL ID：200903053989454732

半導体メモリ

発明者： 小林 靖弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293387
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】メモリセルの浮遊ゲート電位を精密に制御しつつ高速な書き込みを行う。【解決手段】ソース電圧制御回路132と共通ソース線SLとの間にセル電流検出回路2が接続されている。セル電流検出回路2は、メモリセル101のセル電流値Idを検出し、そのセル電流値Idに基づいて検出信号Wを生成する。そして、書き込み動作において、各電圧制御回路132〜134の動作は、セル電流検出回路2の検出信号Wに従って制御される。すなわち、各電圧制御回路132〜134は、検出信号WがLレベルの場合は各部(共通ソース線SL、ビット線BLm、ワード線WLm)の電位を従来の形態と同様に制御し、検出信号WがHレベルの場合は各部の電位をグランドレベルにする。

請求項（抜粋）：

メモリセルに流れる電流に基づいて、メモリセルが所望の書き込み状態に到達したことを判定し、書き込み動作を制御する半導体メモリ。

IPC (5件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 510 A ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-153799
  
• 不揮発性メモリをプログラムする方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065189   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド