特許

J-GLOBAL ID：200903053990192610

固体撮像装置

発明者： 波多江 博 ,  安藤 治久 ,  木村 勝高 ,  秋元 肇
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-317759
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152552
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】画素部の面積を小さくしてしかも良好な S/N を得ることのできる固体撮像素子を提供すること。【構成】上記目的は、第一の第一導電型半導体基板上に第一の第二導電型領域を有し、上記第一の第二導電型領域内に二次元マトリクス状に配置された複数の第二の第一導電型領域を有し、上記第一の第二導電型領域と上記第二の第一導電型領域とで構成された光電変換部に入射した光信号を電気信号として取り出す固体撮像装置において、上記複数の第二の第一導電型領域上に、MOS トランジスタのドレインを構成する第二の第二導電型領域、ソースを構成する第三の第二導電型領域及び絶縁膜を隔てたゲートを構成するための導体領域をそれぞれ一つずつ設けた固体撮像素子とすることによって達成することができる。【効果】上記構成とすることによって、一つの MOS トランジスタにより信号増幅と信号線分離とリセット動作を行わせることができ、画素ごとに増幅器を有する撮像素子の画素面積を大幅に縮小することが可能となる。

請求項（抜粋）：

第一の第一導電型半導体基板上に第一の第二導電型領域を有し、上記第一の第二導電型領域内に二次元マトリクス状に配置された複数の第二の第一導電型領域を有し、上記第一の第二導電型領域と上記第二の第一導電型領域とで構成された光電変換部に入射した光信号を電気信号として取り出す固体撮像装置において、上記複数の第二の第一導電型領域上に、MOS トランジスタのドレインを構成する第二の第二導電型領域、ソースを構成する第三の第二導電型領域及び絶縁膜を隔てたゲートを構成するための導体領域をそれぞれ一つずつ設けたことを特徴とする固体撮像装置。