特許
J-GLOBAL ID:200903053990774180

半導体容量装置、昇圧回路および不揮発性半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-221790
公開番号(公開出願番号):特開2003-036685
出願日: 2001年07月23日
公開日(公表日): 2003年02月07日
要約:
【要約】【課題】 反転層が形成され易い半導体容量装置を提供する。【解決手段】 半導体容量装置600は、P型半導体層610と、P型半導体層内に設けられたN型ウエル領域612と、N型ウエル領域612内に設けられたP型ウエル領域614と、を有する。さらに、P型ウエル領域614の上に絶縁層650を介して設けられたゲート電極層640と、ゲート電極層640の一方の側方におけるP型ウエル領域614内に設けられた第1のN型不純物層620と、ゲート電極層640の他方の側方におけるP型ウエル領域614内に設けられた第2のN型不純物層622と、を有する。ゲート電極層640は、少なくとも一つの貫通孔642を有し、貫通孔642に対向するP型ウエル領域614に、第3のN型不純物層624が設けられている。
請求項(抜粋):
P型半導体層と、前記P型半導体層内に設けられたN型ウエル領域と、前記N型ウエル領域内に設けられたP型ウエル領域と、前記P型ウエル領域の上に、絶縁層を介して設けられた、電極層と、前記電極層の一方の側方におけるP型ウエル領域内に設けられた、第1のN型不純物層と、前記電極層の他方の側方におけるP型ウエル領域内に設けられた、第2のN型不純物層と、を有し、前記電極層は、少なくとも一つの貫通孔を有し、前記貫通孔に対向するP型ウエル領域に、第3のN型不純物層が設けられたことを特徴とする、半導体容量装置。
IPC (2件):
G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (3件):
G11C 17/00 621 Z ,  G11C 17/00 632 A ,  G11C 17/00 622 Z
Fターム (4件):
5B025AA07 ,  5B025AC01 ,  5B025AD09 ,  5B025AE00

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