特許
J-GLOBAL ID:200903053991378989

真空処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-125219
公開番号(公開出願番号):特開平6-314730
出願日: 1993年04月28日
公開日(公表日): 1994年11月08日
要約:
【要約】【目的】 複数の真空処理室を備えた真空処理装置において、高いスルプットを得ること。【構成】 第1の移載室1と第2の移載室6との間に予備真空室3A、3Bを介在させて移載室1、6間の雰囲気を分離し、第2の移載室6に真空処理室7A〜7Cを接続する。予備真空室3A、3Bは予備真空室本体32の上方に石英ガラス31を介して加熱ランプ42を配置すると共に予備真空室本体32内の下部に冷却ステージ33を設け、更に一体で昇降する2段の載置台51、52を設ける。これら載置台51、52に夫々処理前、処理済みのウエハWを載置し、夫々加熱、冷却する。またカセット22及び予備真空室3A、3B間のウエハWのWの移載を大気圧の不活性ガス中で真空吸着により保持して移載する。
請求項(抜粋):
第1の予備真空室及び第2の予備真空室が各々共通の移載室に気密に接続されると共にこの移載室に各々複数の真空処理室が接続され、ローダ室内の第1の移載手段により第1または第2の予備真空室に対して被処理体を移載し、前記移載室内の第2の移載手段により真空処理室、第1または第2の予備真空室間で被処理体の移載を行う真空処理装置において、前記第1及び第2の予備真空室の双方に加熱手段及び冷却手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/68 ,  H01J 37/317 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/302
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平3-019252
  • 特開平4-286143
  • 特開平3-019252
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