特許
J-GLOBAL ID：200903053992058619
スピンバルブ型薄膜素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335647
公開番号（公開出願番号）：特開2000-123327
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層の中央付近は、トラック幅方向に磁化されているバイアス層から距離的に離れているため、バイアス層の影響が小さく、従って磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量が大きいと、磁化がハイト方向に傾き、バルクハウゼンノイズが増大するといった問題が起こる。特に前記中央付近には引っ張り応力が働いているため、磁歪が正で、しかもその値が大きいと、磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量が大きくなってしまう。【解決手段】 フリー磁性層5をNiFe合金膜で形成した場合、前記フリー磁性層の膜厚を30〜100オングストロームで形成し、NiFe合金膜のNi組成比を適性に選択すれば、磁歪を-2×10-6〜1×10-6の範囲内に収めることができる。従って、磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量を小さくでき、バルクハウゼンノイズを低減できる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電層とを有する積層体で形成されたスピンバルブ型薄膜素子において、前記反強磁性層は、PtMn合金膜、あるいはX-Mn合金(X=Pd,Ru,Ir,Os,Rh)で、前記フリー磁性層の上側に形成されており、前記フリー磁性層はNiFe合金膜により形成され、前記フリー磁性層の膜厚は、30〜100(オングストローム)の範囲内で、前記NiFe合金膜のNi組成比は、82〜85(at%)の範囲内であることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
引用特許：
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