特許
J-GLOBAL ID：200903053993194737
マイクロ構造及びその製造のためのシングルマスク、単結晶プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-518011
公開番号（公開出願番号）：特表平8-506857
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】高アスペクト比の、離型された単結晶の、結晶の向きには無関係な、マイクロ電気機械構造を製造するための、シングルマスクの、低温反応性イオンエッチングプロセス。
請求項（抜粋）：
高アスペクト比の、ミクロン以下の、離型された単結晶の、結晶の向きには無関係な、マイクロ電気機械構造を製造するための、シングルマスクの、低温反応性イオンエッチングプロセスであって、 単結晶基板の頂面の上にマスク絶縁層を形成するステップと、 上記基板内に形成されるとともにこれによって囲まれた任意の形状の構造を定義する絶縁性マスクをつくるために、上記マスク層をパターン化し、上記形状が、上記基板中の結晶の向きに無関係であり、かつ少なくとも離型されるべきビーム部を含んでいるステップと、 定義された任意の形状の構造を囲んでいる上記基板中に、対応する深い溝部をつくるために、上記マスクによって定義されたパターンを介して上記基板をエッチングし、上記構造が、上記酸化物マスクによって被覆された頂面を有し、かつ実質的に鉛直な側壁を有するステップと、 上記構造の側壁の上と、上記溝部の床の上と、上記絶縁性マスクの上とに絶縁層を形成するステップと、 上記単結晶基板を露出させる一方上記マスク及び上記側壁絶縁層を実質的に手付かずで残すために、上記溝部の床から絶縁層を除去するステップと、 少なくとも上記ビーム部を、反応性イオンエッチングにより、上記溝部中の上記露出された単結晶基板から離型するステップと、 上記の定義された構造と周囲の基板とを金属層で被覆し、上記の定義された構造の上の金属が、上記溝部によって、周囲の基板の上の金属から電気的に絶縁されるステップとを含んでいるプロセス。
IPC (3件)：
C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H01L 29/84
