特許

J-GLOBAL ID：200903053995750009

半導体記憶装置

発明者： 里 眞一 ,  芦辺 由紀子
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219680
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063162
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】 同一半導体基板上に、DRAM部2,マスクROM部3及びDRAM又はマスクROMのどちらにも形成可能な領域部4を設けており配線工程時に領域部4においてDRAM又はマスクROMを選択形成する。【効果】 配線工程時に素子比を決定できるため、素子比の異なる半導体記憶装置を作成する場合、従来よりもマスク数が少なくなり、またユーザーの注文から短期間で製品を製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、少なくともマスクROMとDRAMとが形成されてなる半導体記憶装置において、一つのトランジスタに対応して、一つのキャパシタ及び一つのグランド電源供給部が形成されてなり、選択結線することによりDRAM又はマスクROMを形成する領域を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/112 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 471

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 27/10 325 Z