特許

J-GLOBAL ID：200903053999282140

ディープ・サブ波長の光リソグラフィのためのレチクル・パターンに光近接フィーチャを提供する方法および装置

発明者： ダグラス ヴァン デン ブロエケ ,  ジャン フン チェン ,  トマス ライディグ ,  クート イー、ウァムプラー ,  デュアン - フ ステファン ハシュ
出願人/特許権者： アスムル マスクツールズ ビー.ブイ.
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  吉田 裕 ,  岩本 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-007087
公開番号（公開出願番号）：特開2004-220034
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】孤立したフィーチャと間隔の密なフィーチャとの両方を解像度を損なうことなく任意の露光方法でプリントできるマスクデザインを作成すること。【解決手段】本願発明によれば、光近接効果補正フィーチャが配置されたマスクデザインを作成する方法であって、基板に結像されるフィーチャを有する所望のターゲット・パターンを得るステップと、ターゲット・パターンに基づいて干渉マップを決定するステップであって、干渉マップが結像されるフィーチャの少なくとも1つと、その少なくとも1つのフィーチャに隣接する視野領域との間に、強め合う干渉領域および弱め合う干渉領域を定めるステップと、強め合う干渉領域および弱め合う干渉領域に基づいてマスクデザインにアシスト・フィーチャを配置するステップとを含む方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光近接効果補正フィーチャが配置されたマスクデザインを作成する方法であって、 基板に結像されるフィーチャを有する所望のターゲット・パターンを得るステップと、 前記ターゲット・パターンに基づいて干渉マップを決定するステップであって、該干渉マップが、結像される前記フィーチャの少なくとも1つと、該少なくとも1つのフィーチャに隣接する視野領域との間に、強め合う干渉領域および弱め合う干渉領域を定めているステップと、 前記強め合う干渉領域および前記弱め合う干渉領域に基づいてマスクデザインにアシスト・フィーチャを配置するステップと を含むマスクデザイン作成方法。

IPC (2件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (6件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB27 ,  2H095BB28 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-216548
  

審査官引用 (2件)

• 特開平4-216548
  
• 特開平4-216548