特許

J-GLOBAL ID：200903054009011623

半導体装置

発明者： 喜田 真史 ,  横井 等 ,  大島 崇文
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247417
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077103
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 なるべく材料の種類と工数を増やさないで信頼性の高い機能膜を形成した半導体装置を提供すること。例えば、ダイヤフラム構造を有する半導体マイクロセンサに代表されるような、熱応力の影響を受けやすい部位に形成された機能膜の破損等がないとともに、製造工数の増加等を極力抑えた半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板8上に形成され、構成成分Aを含む絶縁膜3と、絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成され、構成成分Aおよび構成成分Bを含む緩衝膜5と、緩衝膜の少なくとも一部を覆うように形成され、構成成分Bを含む機能膜6とからなる多層構造の薄膜構成を有する半導体装置とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上の少なくとも一部を覆うように形成され、構成成分Aを含む絶縁膜と、該絶縁膜の少なくとも一部を覆うように形成され、該構成成分Aおよび構成成分Bを含む緩衝膜と、該緩衝膜の少なくとも一部を覆うように形成され、構成成分Bを含む機能膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  G01L 9/04 101 ,  H01L 21/318 M

Fターム (17件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055DD04 ,  2F055DD05 ,  2F055DD19 ,  2F055EE13 ,  2F055FF43 ,  2F055GG11 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BD18 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ10