特許

J-GLOBAL ID：200903054012169874

面発光レーザ

発明者： 香川 俊明 ,  舘野 功太 ,  忠永 修 ,  植之原 裕行 ,  竹下 達也 ,  天野 主税
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264824
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094208
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、低閾値化、高効率化、高信頼性及び低コスト化を達成することを目的とする。【解決手段】 第1導電型の第1のDBR、第1導電型の第2のDBR、活性層6、第2導電型の第3のDBR、第2導電型の第4のDBRを順次積層した構造を有し、同じ導電型のDBRでは活性層6に近い側のDBRの不純物ドープ濃度が遠い側のDBRの不純物ドープ濃度よりも低く、同じ導電型のDBRでは活性層に近い側のDBRの高屈折率層15,20のバンドギャップが遠い側のDBRの高屈折率層2,10のバンドギャップよりも大きく、第4のDBRを貫き第3のDBRまで達するエッチングによるローメサ構造を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを複数層有する第1のDBR、第1の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを所定層有する第2のDBR、活性層、第2の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを複数層有する第3のDBR、第2の導電型であり高屈折率層と低屈折率層のペアを所定層有する第4のDBRを順次積層した構造を有し、同じ導電型の前記DBRでは前記活性層に近い側のDBRの不純物ドープ濃度が前記活性層から遠い側のDBRの不純物ドープ濃度よりも低く、同じ導電型の前記DBRでは前記活性層に近い側のDBRの高屈折率層のバンドギャップが前記活性層から遠い側のDBRの高屈折率層のバンドギャップよりも大きく、前記第4のDBRを貫き前記第3のDBRまで達するエッチングによるローメサ構造を有することを特徴とする面発光レーザ。

Fターム (5件)：

5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073EA23

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-240290   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平2-302085
  
• 可視光放出VCSEL用混成ミラー構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-117552   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• パターン化されたミラー縦型空洞表面放出レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-089461   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド