特許
J-GLOBAL ID:200903054015328540

ハーフトーンマスク及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-111381
公開番号(公開出願番号):特開平8-306615
出願日: 1995年05月10日
公開日(公表日): 1996年11月22日
要約:
【要約】【目的】 必要に応じて透過率を同一マスク面内で分割することにより、半導体パターンを的確に形成することができるハーフトーンマスク及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 ハーフトーンマスクにおいて、ハーフトーンクロム層2の露光光の透過率が異なる複数の分割した部分3を有し、それに半導体回路パターン4を形成する。
請求項(抜粋):
ハーフトーンマスクにおいて、ハーフトーン層の露光光の透過率が異なる複数の分割した部分を有し、それに半導体回路パターンを形成するようにしたことを特徴とするハーフトーンマスク。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (6件):
H01L 21/30 502 P ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 528

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