特許

J-GLOBAL ID：200903054017763677

マグネトロン型スパッタ装置

発明者： 小林 功 ,  佐藤 毅
出願人/特許権者： 花王株式会社
代理人 (1件)： 宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-247644
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月24日
要約：

【要約】【目的】 ターゲットの使用効率が高く、しかも薄膜形成速度が高く、さらには形成される膜が均一なものとなるマグネトロン型スパッタ装置を提供することである。【構成】 ターゲット保持手段と、このターゲット保持手段に保持されたターゲットに交差する方向に電界が印加される電界印加手段と、前記ターゲットの背部で、かつ、ターゲットの略端部から外側の間の位置に配置されたN極を有する磁石と、前記ターゲットの背部で、かつ、ターゲットの略端部から外側の間の位置であり、さらには前記N極を有する磁石に対向して配置されたS極を有する磁石と、前記磁石によりターゲットの前面に略平行に形成される磁界の方向が回る如く変位させられる変位手段とを具備するマグネトロン型スパッタ装置。

請求項（抜粋）：

ターゲット保持手段と、このターゲット保持手段に保持されたターゲットに交差する方向に電界が印加される電界印加手段と、前記ターゲットの背部で、かつ、ターゲットの略端部から外側の間の位置に配置されたN極を有する磁石と、前記ターゲットの背部で、かつ、ターゲットの略端部から外側の間の位置であり、さらには前記N極を有する磁石に対向して配置されたS極を有する磁石と、前記磁石によりターゲットの前面に略平行に形成される磁界の方向が回る如く変位させられる変位手段とを具備することを特徴とするマグネトロン型スパッタ装置。