特許

J-GLOBAL ID：200903054022807208

強誘電体薄膜キャパシタ及びその製造方法

発明者： 西岡 泰城
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159966
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031951
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的はULSIに応用できるほどの歩留りを確保できる強誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供することにある。【構成】 本発明の一態様においては、キャパシタ用誘電体としての第1の強誘電体薄膜の形成後に非常に薄い第2の強誘電体薄膜を堆積して結晶粒の間に発生する空洞部を埋め込むことによって、リ-ク電流が小さく歩留りが高いキャパシタを形成する。他の態様においては、空洞部に絶縁層を埋め込む。

請求項（抜粋）：

第1の結晶強誘電体薄膜と該第1の薄膜より薄い第2の強誘電体薄膜の積層構造を含む強誘電体薄膜キャパシタ。

IPC (7件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 28/00 ,  C23C 30/00 ,  C30B 29/32

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-080598
  
• 特開昭57-167669