特許
J-GLOBAL ID：200903054025051830
プラズマ処理装置及び処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005759
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211488
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 大面積の基板に均一な薄膜を高速に形成することのできるプラズマ処理装置及び処理方法を提供する。【構成】 同軸コネクター1に直線型アンテナ2を接続する。直線型アンテナ2の内部に、冷却用媒体が通る管と、反応ガスが通る管とを設け、直線型アンテナ2の表面に複数のガス噴出孔を穿設する。直線型アンテナ2の下側に継鉄5に保持された一対の永久磁石4a、4bを配置する。継鉄5にタップ穴を設け、このタップ穴にボールネジ6を通す。ボールネジ6の一端を台座7によって支持し、他端をモータ8に接続する。直線型アンテナ2と永久磁石4a、4bとの間に基板3を配置し、矢印Aの方向に移動させる。以上の構成部材を、基板3を囲むようにして設けられた真空槽の内部に収容し、真空槽に排気ポンプを設ける。
請求項（抜粋）：
内部が減圧状態に保持される真空槽と、前記真空槽内に処理基板を保持する手段と、前記真空槽内に反応ガスを導入する手段と、前記真空槽内を排気する手段と、前記真空槽内にマイクロ波電力を導入する接続手段と、前記接続手段に取り付けられたアンテナと、前記アンテナが放射する電界領域に磁界を発生させる磁界発生手段と、前記磁界の強度分布を変化させる手段とを少なくとも備えたプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
