特許
J-GLOBAL ID:200903054035331121
多層配線板および半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-225284
公開番号(公開出願番号):特開2004-071656
出願日: 2002年08月01日
公開日(公表日): 2004年03月04日
要約:
【課題】確実に微細な層間接続でき、微細な配線パターンを形成でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供する。【解決手段】接続層の層間絶縁材層105に埋め込まれて形成された配線パターンと、被接続層111の被接続部112とが、該配線パターン上に該層間絶縁材層105を貫通して形成された導体ポスト107と金属接合材料層108とで接合され、該接続層と該被接続層とが、金属接合接着剤層109で接着された多層配線板において、層間絶縁材層105が、-65°C〜150°Cの温度域で15ppm以上、25ppm以下の熱膨張係数を有することを特徴とする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
接続層の層間絶縁材層に埋め込まれて形成された配線パターンと、被接続層の被接続部とが、該配線パターン上に該層間絶縁材層を貫通して形成された導体ポストと金属接合材料層とで接合され、該接続層と該被接続層とが、金属接合接着剤層で接着された多層配線板において、層間絶縁材層が、-65°C〜150°Cの温度域で15ppm以上、25ppm以下の熱膨張係数を有することを特徴とする多層配線板。
IPC (2件):
FI (4件):
H05K3/46 T
, H05K3/46 N
, H01L23/12 501B
, H01L23/12 N
Fターム (21件):
5E346AA12
, 5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC54
, 5E346DD02
, 5E346DD24
, 5E346DD33
, 5E346DD44
, 5E346EE03
, 5E346FF35
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG18
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH07
, 5E346HH24
, 5E346HH33
前のページに戻る