特許
J-GLOBAL ID：200903054043118704
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154099
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349085
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】信頼性及び生産性が高い装置として得られる半導体装置及び生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝10aにCu配線100が形成されてなる。これらの層により前記リード2a表面を被膜している。前記Cu配線100は、Ag、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金1で構成されている。以上により上記目的を達成することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層間絶縁膜に設けられ、表面にバリアメタル層が形成されてなる溝に配線が形成されてなり、前記配線はAg、As、Bi、P、Sb、Si、Tiのうち少なくとも1つを0.1重量%以上、Cuに対する最大固溶限未満の範囲で含有するCu合金で構成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 A
5F033HH12
, 5F033LL08
, 5F033LL09
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP27
, 5F033QQ48
, 5F033QQ69
, 5F033QQ73
, 5F033WW04
, 5F033XX05
