特許
J-GLOBAL ID:200903054044611617
高周波焼入装置および高周波焼入方法ならびに焼入製品の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-250676
公開番号(公開出願番号):特開平10-096012
出願日: 1996年09月20日
公開日(公表日): 1998年04月14日
要約:
【要約】【課題】 従来の高周波焼入装置であると、ワークの厚さが薄い場合には、貫通孔の端面からの硬化距離の長さが十分にとれないという問題があった。【解決手段】 貫通孔14を有するワーク10に対して少なくとも貫通孔14の内周端部A2、B2を焼入するための高周波焼入装置20であって、ワーク10を支持するための支持台22と、貫通孔14内に挿入可能に配置された高周波電極24とを具備してなり、ワーク10の端面からの焼入距離を規制するために、支持台22に、貫通孔14内に挿入可能な導電体30を設け、導電体30の表面30aをダミー焼入面とした。
請求項(抜粋):
貫通孔を有するワークに対して少なくとも前記貫通孔の内周端部を焼入するための高周波焼入装置であって、前記ワークを支持するための支持台と、前記貫通孔内に挿入可能に配置された高周波電極とを具備してなり、前記ワークの端面からの焼入距離を規制するために、前記支持台に、前記貫通孔内に挿入可能な導電体を設け、該導電体の表面をダミー焼入面としたことを特徴とする高周波焼入装置。
IPC (2件):
C21D 1/10
, H05B 6/10 331
FI (3件):
C21D 1/10 R
, C21D 1/10 S
, H05B 6/10 331
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