特許
J-GLOBAL ID：200903054052654880
半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-261558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101679
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】内部降圧回路を有する半導体メモリ装置において、センスアンプ動作時の電源ノイズによっておこる動作マージンの悪化を防ぐ。【構成】主内部降圧電源回路に加え、センスアンプの動作時に活性化されるセンスアンプ用内部電源電圧を供給する回路を、多分割されたメモリプレートの分割動作毎に配置し、センスアンプ動作時に活性化される信号によってセンスアンプに供給される内部電源電圧を主内部電源電圧からセンスアンプ用内部電源電圧に切り換える。
請求項（抜粋）：
外部電源電圧Vccを降圧して、内部電源電圧VINTを発生させる内部降圧電源回路を有する半導体メモリ装置において、メモリセルの微小信号を検出し、増幅するために設けたセンスアンプの動作時に活性化されるセンスアンプ用内部電源電圧VINTSを供給する回路を設け、センスアンプに供給される内部電源電圧をセンスアンプ動作時に内部電源電圧VINTからセンスアンプ用内部電源電圧VINTSに切り換えることを特徴とする半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/419
, G11C 11/413
G11C 11/34 311
, G11C 11/34 335 A
