特許
J-GLOBAL ID：200903054058545030
ドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-151554
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326772
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の表面全体を均一にエッチング処理できるドライエッチング装置を提供する。【解決手段】 下部電極3上に半導体ウエハなど被処理基板Wを載置し、減圧槽1内に処理ガスを導入した後、両電極間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて被処理基板W表面をエッチング処理するドライエッチング装置において、下部電極3を互いに絶縁された複数の部分電極3a〜3cに分割するとともに、上部電極2との間に印加する交流電界の周波数を各部分電極3a〜3c毎に制御する制御装置4を備えた。被処理基板Wの表面付近のプラズマ状態を各部分電極3a〜3cの作用する領域毎に変化させることができるので、エッチング速度が低下し易い部分のプラズマ状態を他の部分よりも高エネルギー状態にするなどして、被処理基板Wの表面全体を均一にエッチング処理することができる。
請求項（抜粋）：
減圧槽内に互いに対向させて配置された上部電極と下部電極とを備え、下部電極上に被処理基板を載置し、減圧槽内に処理ガスを導入した後、両電極間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて被処理基板表面をエッチング処理するドライエッチング装置において、前記下部電極を互いに絶縁された複数の部分電極に分割するとともに、前記上部電極との間に印加する交流電界の周波数を各部分電極毎に制御する制御装置を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
