特許
J-GLOBAL ID：200903054067303332
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256319
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124826
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 パターンの配置状態によらず形成面内で均一な寸法精度のパターンで構成されるパターン列を形成する。【構成】 第1の工程で、ウエハ10上にパターン形成材料で構成される所定幅WのラインパターンLを所定間隔Dで配置してなる基本パターン列11を形成する。第2の工程で、基本パターン列11を構成するラインパターンLのうちの必要な部分を残してその外の部分を除去し、ウエハ10上に上記ラインパターンLを所定状態で配列してなる目的パターン列11aを形成する。これによって、露光,現像及び加工の際の処理効果が均一なラインパターンで目的パターン列を構成する。
請求項（抜粋）：
ウエハ上に形成したレジストパターンをマスクにして当該ウエハ表面層のパターン形成材料をエッチングするかまたは当該ウエハ上面にパターン形成材料を堆積させることによって、前記ウエハ上に前記パターン形成材料で構成される所定幅のラインパターンを配列してなる目的パターン列を形成する方法であって、前記ウエハ上に、前記ラインパターンを所定間隔で配列してなる基本パターン列を形成する第1工程と、前記基本パターン列を構成するラインパターンのうちで前記目的パターン列の構成に必要な部分を残してその外の部分を除去し、前記ウエハ上に前記目的パターン列を形成する第2工程とからなることを特徴とするパターン形成方法。
FI (3件)：
H01L 21/30 502 M
, H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 507 V
