特許
J-GLOBAL ID：200903054067941894
成膜方法及び成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008130
公開番号（公開出願番号）：特開2001-200362
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月24日
要約：
【要約】【課題】高品質な酸化膜あるいは窒化膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。【解決手段】内部に基板13,14,15が配置される真空容器20と、所要の薄膜を構成する元素の一部の元素からなる材質のターゲット10と、このターゲットの表面上に所望のマグネトロン磁場を形成するマグネット部16と、真空容器内にガスを導入する機構21,22,23,24を有している。ここで、基板上に薄膜を堆積させる成膜期間と、薄膜を堆積させない非成膜期間を交互に繰り返す成膜・非成膜手段17を備え、この成膜・非成膜手段は、上記成膜期間として、1回辺りの成膜期間中に形成される膜厚が、自然酸化膜あるいは自然窒化膜の膜厚以下となる時間とし、上記非成膜期間は、上記成膜期間中に形成された薄膜が、化学量論的組成になるまでに要する時間となるようにしている。これによって、真空容器20内にてターゲット物質と酸素あるいは窒素とを反応させ、基板上に薄膜を堆積させて酸化膜あるいは窒化膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
真空容器内にてターゲット物質と酸素あるいは窒素とを反応させ、基板上に薄膜を堆積させて酸化膜あるいは窒化膜を成膜する成膜方法において、上記基板上に薄膜を堆積させる成膜期間と、薄膜を堆積させない非成膜期間を交互に繰り返すとともに、上記成膜期間は、1回辺りの成膜期間中に形成される膜厚が、自然酸化膜あるいは自然窒化膜の膜厚以下となる時間であり、上記非成膜期間は、上記成膜期間中に形成された薄膜が、化学量論的組成になるまでに要する時間であることを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/54
, C23C 14/06
, C23C 14/08
, C23C 14/35
C23C 14/54 C
, C23C 14/06 A
, C23C 14/08 Z
, C23C 14/35 B
