プラズマ処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063226
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267252
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】エッチングに対してイオンアシスト性が少ない材料の場合でもマイクロローディング効果を抑制するプラズマ処理方法を提供する。【構成】デポジション性ガスをエッチングガスに混合し、その量はデポジション速度とその化学エッチング速度がほぼ同じとなる量とする。また、イオンによって輸送されるエネルギーは最もアスペクト比が小さくエッチング速度の遅い部分のデポジション物質が全てイオンアシスト反応によってエッチングされる量またはそれ以下に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路等の製造工程において、アスペクト比の異なる複数の構造を同時にプラズマによってエッチング加工する際、デポジション性ガスを、デポジション速度と、そのデポジションのイオンアシストによらない化学エッチング速度がほぼ同じとなるように流量混合することを特徴とするプラズマ処理方法。

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