特許
J-GLOBAL ID：200903054081968592
微細パターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 泰男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-312158
公開番号（公開出願番号）：特開平5-147360
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【目的】 線幅が微細であるとともに、膜厚も適度な微細パターンを高い精度で効率よく形成することのできる微細パターンの形成方法を提供する。【構成】 透明基板の凹部に嫌気性を強調した紫外線硬化性インキを充填し、この凹部内のインキ層に紫外線を照射して硬化処理を行って少なくともインキ層の表層部を不完全硬化状態とし、その後、凹部内のインキ層を被加工物に転写させる。
請求項（抜粋）：
透明基板に所定パターンで凹部を形成し、該凹部に嫌気性を強調した紫外線硬化性インキを充填してパターニングを行ない、次に紫外線による硬化処理を施して、凹部内のインキの少なくとも表層部が不完全硬化状態になるようにした後、前記凹部内の前記インキを被加工物に転写させることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (3件)：
B41M 5/30
, H01L 21/027
, H05K 3/20
B41M 5/26 J
, H01L 21/30 311 Z
