特許

J-GLOBAL ID：200903054088867120

反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜

発明者： 辻田 好一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096678
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299338
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程における写真製版に用いられる反射防止膜の選定方法とこの選定方法により選定された反射防止膜を提供する。【構成】 反射防止膜の光学特性としての複素屈折率を表わす関係式の実部nの値を1.0<n<3.0の範囲に選定しかつ虚部kの値を0.4<k<1.3の範囲に選定する。またプラズマCVD法により形成されるプラズマ窒化膜の材料組成のパラメータを変化させることにより、複素屈折率の実部nの値と虚部kの値を前記に示した範囲に選定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造工程における写真製版に用いられる反射防止膜の光学特性としての複素屈折率を選定する工程と、反射防止膜として要求される他の特性を選定する工程と、を有する反射防止膜の選定方法であって、前記複素屈折率を選定する工程は、前記写真製版時の露光光がi線(λ=365nm)からkrF光(λ=248nm)の範囲の波長であり、複素屈折率を表わす関係式n-i×k(iは虚数単位)の、実部nの値が1.0<n<3.0の範囲であり、かつ、虚部kの値が0.4<k<1.3の範囲であることを選定する反射防止膜の選定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/318