特許
J-GLOBAL ID：200903054089501731
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251537
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098237
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 CODを抑制することができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子の端面に半導体保護層を形成する工程を有する半導体レーザ素子の製造方法において、半導体レーザ素子の端面をハロゲン系ガスに晒し、その直後に半導体保護層を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子の端面に半導体保護層を形成する工程を有する半導体レーザ素子の製造方法において、半導体レーザ素子の端面をハロゲン系ガスに晒し、次いで半導体保護層を形成することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/314 A
