特許

J-GLOBAL ID：200903054094060093

低抵抗磁気トンネル接合

発明者： ユージーン・チェン ,  ジョン・スラウター ,  レニュー・ウィグ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560619
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520883
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】本発明によれば、低抵抗障壁層を有する低抵抗磁性トンネル接合およびその製造法法が提供される。表面(12)を有する第1磁性材料層(11)が用意され、アルミニウムのような連続的な材料層(15)が第1磁性層の表面上に形成される。連続的な材料層を処理して、低抵抗オキシナイトライド障壁材料層を形成する。第2磁性層(18)はオキシナイトライド障壁材料層上に形成され、低抵抗磁性トンネル接合を完成させる。

請求項（抜粋）：

低抵抗障壁層を有する磁気トンネル接合を作成する方法であって: 第1磁性材料層(11)を含む支持基板(10,11)を設けるする段階; 前記支持基板上に連続的な材料層(15)を前記第1磁性層に平行に形成する段階; 前記連続的な材料層に処理を施してオキシナイトライド材料の障壁層(16)を生成する段階;および オキシナイトライド材料の前記障壁層上に第2磁性材料層(18)を含む被覆構造を形成する段階であって、前記障壁層および前記第1磁性層に対する磁性トンネル接合を形成するように、前記第2磁性層が前記第1磁性層と平行に設けられるところの段階; より成ることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/12

Fターム (3件)：

5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049DB12