特許
J-GLOBAL ID：200903054098042383
傾斜ドーピング制御を施した高電圧集積回路内の金属クロスオーバー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197934
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235597
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 クロスオーバー相互接続部およびクロスオーバーとその直下の半導体接合との間の高電位差による接合降伏を防止できる高電圧集積回路(IC)を提供する。【構成】 高電圧クロスオーバーの直下にある半導体接合に隣接して不均一濃度ドープ領域を形成する。不均一ドープ領域により、強い電界に起因する接合降伏を防止できる。クロスオーバーとIC回路素子との間の電圧降下が上記不均一ドープ領域全体に分散され、クロスオーバー・接合間の電圧降下が小さくなり、接合における電界が弱まる。上記不均一ドープ領域のドーパント濃度はシリコン表面積の使用を最小にする値にする。接合の近傍で最小値をとり保護対象の回路素子に向かって増加する値をとる傾斜ドーパント濃度を用いた実施例もある。
請求項（抜粋）：
半導体内に形成した第1のドープ領域と、前記第1のドープ領域の端の上にかぶさる第1の部分を有する導電性クロスオーバーと、前記半導体内の前記第1のドープ領域の前記端の近傍に形成され、不均一なドーパント濃度を有する第1の低濃度ドープ領域と、前記第1の低濃度ドープ領域の端であって前記導電性クロスオーバーの下に位置する第1の接合とを含み、その動作中において前記第1の低濃度ドープ領域が前記導電性クロスオーバーと前記第1のドープ領域との間の電位差による前記第1の接合の接合降伏を防止する集積回路。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/90 J
, H01L 21/90 W
, H01L 21/90 Z
