特許
J-GLOBAL ID：200903054101244634
低温用クヌ-ドセンセル
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252111
公開番号（公開出願番号）：特開平6-080496
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 材料補填の際の真空度維持の妨げとなる条件の発生を防止するとともに、分子線エピタキシ-装置の連続稼動を可能にする。【構成】 真空チャンバの外部に材料を収容できるリザ-バ-8を設け、真空チャンバの内部とリザ-バ-とを導入パイプで連結する。導入パイプの途中にニ-ドルバルブ7があり、中間部には独自のヒ-タを持つ。このヒ-タは導入パイプ5中で材料が内壁に付着するのを防ぐ。リザ-バ-8は独自の真空排気装置とヒ-タを持つ。ニ-ドルバルブ7を閉じて、真空チャンバ内部を超高真空に維持しつつ、リザ-バ-8の内部を大気圧にして材料を補填できる。ニ-ドルバルブによって分子線量を制御する。
請求項（抜粋）：
真空チャンバを超高真空に引き、材料を加熱し気化させ分子線として超高真空中にある基板に照射し基板上にエピタキシャル成長を行う分子線エピタキシ-装置のクヌ-ドセンセルであって、真空チャンバの外部に設けられ開閉できる蓋を有し材料を収容できるリザ-バ-と、リザ-バ-の材料を加熱するためのリザ-バ-用ヒ-タと、リザ-バ-と真空チャンバとを連結し真空チャンバの内部に分子線を導入する導入パイプと、導入パイプの真空チャンバ内での出口の近傍に設けられた開口部ヒ-タと、導入パイプの途中に設けられた流量調整可能なニ-ドルバルブと、導入パイプの中間部を加熱するために設けられた連結部ヒ-タと、リザ-バ-を真空に引くための真空排気装置とを有し、リザ-バ-の温度制御とニ-ドルバルブの開度制御によって分子線量を調整するようにしたことを特徴とする低温用クヌ-ドセンセル。
IPC (3件)：
C30B 23/08
, C23C 14/24
, H01L 21/203
