特許
J-GLOBAL ID：200903054108458150
半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343500
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175612
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【目的】半導体レーザ及びその製造方法に関し、半導体レーザの面積を増やさずに、かつ導波モードの漏洩を抑えたまま、低電流密度で高出力を得ることを目的とする。【構成】基板1上に形成されて共振器を構成する活性層3が、複数の直線状ストライプの端部を直交させた平面形状を有するとともに、前記直線状ストライプの直交部分にある活性層3の側面であって、前記直線ストライプの延在方向に対して45°の角度を有する反射ミラー9を含み構成する。
請求項（抜粋）：
基板(1)上に形成されて共振器を構成する活性層(3)が、複数の直線状ストライプの端部を直交させた平面形状を有するとともに、前記直線状ストライプの直交部分にある活性層(3)の側部であって、前記直線ストライプの延在方向に対して45°の角度を有する反射ミラー(9)が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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