特許
J-GLOBAL ID：200903054108879996
厚膜抵抗と厚膜コンデンサとの複合素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064475
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 チップ片11の上面に厚膜コンデンサと厚膜抵抗とを設けた複合素子を、前記厚膜抵抗における抵抗値のトリミング調節が容易にできる形態にして製造する。【構成】 チップ片11の上面に、一対の接続端子用上面電極膜12,13を形成する工程、コンデンサ用下層電極膜14と補助電極膜21とを、当該補助電極膜が一方の接続端子用上面電極膜12に重なるように同時に形成する工程、抵抗膜15をその両端が前記補助電極膜と前記下層電極膜とに重なるように形成する工程、前記下層電極膜の上面にコンデンサ用誘電体膜16を形成する工程と、この誘電体膜の上面にコンデンサ用上層電極膜17をその一端が他方の接続端子用上面電極膜13に重なるように形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
絶縁体製チップ片の上面に、左右一対の接続端子用上面電極膜を形成する工程、この両接続端子用上面電極膜の間にコンデンサ用の下層電極膜と、この下層電極膜と適宜間隔を隔てた補助電極膜とを、当該補助電極膜が前記両接続端子用上面電極膜のうち一方の接続端子用上面電極膜に重なるように同時に形成する工程、抵抗膜をその両端が前記補助電極膜と前記下層電極膜とに重なるように形成する工程、前記下層電極膜の上面にコンデンサ用の誘電体膜を形成する工程と、この誘電体膜の上面にコンデンサ用の上層電極膜をその一端が前記両接続端子用上面電極膜のうち他方の接続端子用上面電極膜に重なるように形成する工程を含むことを特徴とする厚膜抵抗と厚膜コンデンサとの複合素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01G 4/40
, H01C 13/00
, H01C 17/06
, H01L 27/01 301
, H05K 1/16
