特許

J-GLOBAL ID：200903054109707145

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鷲野 晃 ,  岡田 庸二 ,  石田 一孝 ,  喜多川 規男 ,  岩井 盛家
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360204
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176976
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 トリミングヒューズ上に所望の膜厚の絶縁膜を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1表面にフィールド酸化膜3を形成し、その上にトリミングヒューズ7を形成し、トリミングヒューズ7上に層間絶縁膜9を形成し、トリミングヒューズ7を含むトリミング窓開口部形成予定領域の層間絶縁膜9上にエッチング阻止膜13としてのシリコン窒化膜を形成する。下層がシリコン酸化膜19、上層がシリコン窒化膜21からなるパッシベーション膜を層間絶縁膜9上に形成した後、シリコン窒化膜21をエッチング除去して開口部21a,21bを形成し、続いて同じレジストパターンを用いて、シリコン酸化膜に対して選択性が高く、かつシリコン窒化膜に対して選択性の低い条件でシリコン酸化膜19をエッチング除去して開口部19a,19bを形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの半導体素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を介してトリミングヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上の絶縁膜の膜厚が周囲より薄くされてレーザートリミング用のトリミング窓開口部が形成され、そのトリミング窓開口部を介して、トリミングヒューズにレーザートリミング処理が施される半導体装置において、前記トリミングヒューズ上の前記絶縁膜は少なくとも2層からなり、その最上層は非シリコン酸化膜系の絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 V

Fターム (19件)：

5F038AR09 ,  5F038AR19 ,  5F038AV15 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF02 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03 ,  5F064BB35 ,  5F064CC22 ,  5F064DD48 ,  5F064FF05 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF42